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>> 中国科学技术大学闫文盛研究员学术报告

作者:   发表时间:2019-12-25 13:37:55   点击量:

2019年12月25日上午10:00,第373期“杰出学者讲坛”学术报告,在材料学院模具实验室新楼A308室进行。主讲人为中国科学技术大学闫文盛老师,报告题目为“同步辐射XAFS技术在稀磁半导体研究中的应用”。华中科技大学翟天佑教授主持了本次讲坛。

闫文盛,中国科学技术大学国家同步辐射实验室研究员,博士生导师,入选教育部“2010新世纪优秀人才支持计划”,现任国家同步辐射实验室磁圆二色站负责人。多年来一直从X射线吸收谱学技术的建立及应用的研究工作。利用X射线吸收谱学技术探索了磁性量子功能材料的原子和电子结构,揭示维度、结构和宏观性能之间的内在联系。以第一或通讯作者 的在J. Am. Chem. Soc、Adv. Mater、ACS Nano和Appl. Phys. Lett.等期刊上发表了120余篇研究论文,他引5000余次。相关工作入选了2014年度《中国科学院重大科技基础设施重大成果》,已承担了包括基金委重点课题在内的国家自然科学基金6项。

报告开始前,翟天佑老师简单向大家介绍了闫老师。闫老师首先就向大家讲解了同步辐射的重要性,展现一张全球同步辐射实验室的分布图,告诉大家一个国家同步辐射实验室的数量可以衡量一个国家的科研实力。随后闫文盛老师以过渡金属掺杂的稀磁半导体材料为例,通过近边实空间多重散射理论计算和扩展边定量拟合方法介绍了XAFS技术在确定掺杂原子的价态、空间占据位置、局域电子结构特征以及相含量与缺陷方面的应用。在此基础上,结合第一性原理计算,讲解了通过XAFS技术获得的微观结构信息与宏观磁性之间的内在联系。在结尾,闫老师热情的邀请大家把有需要的样品拿到他那里去测,他很欢迎,还打趣道可以为大家提供绿色通道。最后,翟天佑老师对今天的报告内容进行了总结,全场掌声热烈。


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闫老师的报告引起了在场老师同学的极大兴趣,同学们在同步辐射光源的分辨率与探测深度,吸收图谱后期的拟合分析和机时申请的路径等方面提出问题,一起与闫老师商讨。面对同学们的积极提问,学识渊博的闫老师都非常耐心的进行阐述和解答。报告结束后,同学们纷纷表示此次报告收获良多。

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